Isabelle SAGNES
Personnalité qualifiée désignée par la présidente de l’ENS Paris-Saclay
Parcours
Isabelle SAGNES a obtenu son doctorat en physique en 1994 sur les propriétés électro-optiques des hétérostructures épitaxiées Si/SiGe sur silicium.
Après avoir travaillé au CNET à Grenoble sur les technologies CMOS 0,18µm, elle rejoint le CNRS en 1998 et intègre le Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN), devenu le Centre de Nanoscience et de Nanotechnologies (C2N, CNRS Université Paris-Saclay).
Actuellement directrice de recherche au CNRS, elle s’intéresse aux hétérostructures complexes pour la photonique en matériaux III-V sur substrats GaAs et InP (principalement les lasers semiconducteurs à émission verticale à cavité externe et les dispositifs à cascade quantique).
En 2023, elle a initié le développement de 2 nouveaux matériaux par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM): le GaP pour la photonique non linéaire et le (Si)GeSn pour les émetteurs et détecteurs NIR/MIR compatibles avec le CMOS.
Avec son équipe MOVPE, elle a publié plus de 400 articles dans des revues à comité de lecture, détient 4 brevets et participe activement à une multitude de projets français et européens. Elle a de nombreuses collaborations, tant au niveau académique (LP-ENS, UMPhy, ONERA, CEA Leti, IES, IMEC) qu'avec de grands groupes industriels français (Thales, ST Microelectronics, Lynred, SOITEC) et des start-ups (Innoptics, Quandela, Ncodin).
Depuis 2012, elle coordonne le réseau français RENATECH (www.renatech.org) du CNRS, le réseau national des salles blanches académiques spécialisées en micro et nanofabrication. Depuis 2022, elle coordonne pour le CNRS le projet d’investissement PIA3/EQUIPEX+ NANOFUTUR (17M€, 13 sites, durée 6 ans) et est directrice pour le CNRS du PEPR Electronique (86M€, 360 permanents, 45 laboratoires) de France2030 aux côtés de Thomas Ernst du CEA-Leti.